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2SA1162S-Y, LF(D 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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2SA1162S-Y, LF(D詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PNP 50V 150MA S-MINI
系列:-
制造商:Toshiba
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):150mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 10mA,100mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:120 @ 2mA,6V
功率_最大:150mW
頻率_轉換:80MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:S-Mini
包裝:剪切帶 (CT)

2SA1162S-Y, LF(D詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PNP 50V 150MA S-MINI
系列:-
制造商:Toshiba
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):150mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 10mA,100mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:120 @ 2mA,6V
功率_最大:150mW
頻率_轉換:80MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:S-Mini
包裝:帶卷 (TR)

2SA1162S-Y, LF(D詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PNP 50V 150MA S-MINI
系列:-
制造商:Toshiba
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):150mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 10mA,100mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:120 @ 2mA,6V
功率_最大:150mW
頻率_轉換:80MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:S-Mini
包裝:Digi-Reel®

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